티이엠씨 공모주 기간

공모주의 매우 기본적으로 알아야 할 사항을 내용 정리 해서 올립니다. 개인 이름 및 정보가 들어간 부분은 제외하니, 좀 더상세하게 알아보신 후 정보를 취합하셨으면 합니다.

사업의 내용

산업용 가스 제조업

특허권

보유기술 특허권 - 컨테이너용 복수단 적재를 위한 실린더 적재장치(2015)
특허권 - 저장능력을 향상시킨 유체압력조정밸브가 구비된 실린더(2018)
특허권 - 혼합가스로부터 고순도 네온 회수 방법 및 장치(2019)
특허권 - 혼합가스로부터 고순도 네온 회수 방법 및 장치(2019)
ISO9001 - 반도체 및 디스플레이용 특수가스의 제조
ISO45001 - 반도체 및 디스플레이용 특수가스의 제조
ISO14001 - 반도체 및 디스플레이용 특수가스의 제조 기업비전티이엠씨는 반도체 및 디스플레이 제조공정에 사용되는 특수가스를 제조하는 전문메이커로서 반도체 제조사 1차 벤더입니다.

반도체 8대 공정

① 웨이퍼 공정 ② Oxidation 산화막 공정 ③ Photo 포토 공정 ④ Etching 에칭 공정 ⑤ CVD / Diffusion 증착 공정 ⑥ 금속 배선 공정 ⑦테스트 공정 ⑧ 패키징 공정으로 분류됨 웨이퍼 제조 공정

실리콘을 단결점으로 성장시킨 후 생성된 잉곳(ingot)을 얇게 가공하여 웨이퍼를 제조하는 공정으로 고순도 수소(H2)와 고순도 모노실란(SiH4), 삼염화실란(SiHCI2)이 이용되고 있음. 특히 모노실란과 삼염화실란은 실리콘이 포함된 가스로 실리콘의 증착에 이용되며, 고순도 실리콘 제조에 필수적임 Oxidation

산화막 공정

웨이퍼에 절연막 역할을 하는 산화막을 형성하여 회로와 회로 사이에 누설전류가 흐르는 것을 차단하는 작업. 웨이퍼에 막을 입히는 산화공정의 방법에는 열을 통한 열산화(Thermal Oxidation), 플라스마 보강 화학적 기상 증착(PECVD), 전기 화학적 양극 처리 등 방법이 있음.

반도체 소자의 성능이 발전함에 따라서 소자의 크기가 중요하기 때문에 회로 패턴 선폭 또한 중요한 요인임.

-ASML : 대표적인 포토 공정 장비를 제조하는 회사 (EUV 장비) 에칭 및 클리닝 공정

주로 SiF4, CF4, C3F8, C2 F6, CHF3, CCIF3 등 불소계 가스가 적용되고 있으며, 웨이퍼를 세정하는 클리닝 공정에는 에칭 공정과 유사한 NF3, CF4, C2 F6 등 불소계 가스가 사용되고 있음.

증착 및 이온주입 공정

P형과 N형 반도체를 제조하는 도핑 공정에는 AsH3, H2S, GeH3, SbH3, AsCI3, AsF3, PcI3, B2H6, BF3 등의 특수가스가 적용되며, 웨이퍼의 어닐링(열처리) 공정에는 질소와 수소가스를 적용하고 있음.

이후 반도체 칩의 표면에 보호막, 절연막, 반사방지막 등을 입히는 패시베이션 공정에서는 O2, SiH4, PH3 등이 이용됨 패키징 및 검사공정

패키징 공정에서는 주로 포장하기 직전 오염물질로부터 반도체를 보호하기 위한 블랜켓팅(Blanketing) 공정이 적용되며, 보호용 가스로 아르곤(Ar), 헬륨(He), 질소(N2) 등을 주입함 ppm

대주주 등과의 거래내용

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다. 채무보증 내역

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3. 대주주와의 영업거래

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